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NXP Semiconductors
PESD3V3L1UA/UB/UL
Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
001aaa631
120
I PP
(%)
80
100 % I PP ; 8 μ s
e ? t
001aaa630
I PP
100 %
90 %
5 0 % I PP ; 20 μ s
40
10 %
0
0
10
20
30
t ( μ s)
40
t r = 0.7 ns to 1 ns
30 ns
60 ns
t
Fig 1.
8/20 μ s pulse waveform according to
IEC 61000-4-5
Fig 2.
ESD pulse waveform according to
IEC 61000-4-2
6. Characteristics
Table 9. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
V RWM
I RM
V BR
C d
Parameter
reverse standoff voltage
reverse leakage current
breakdown voltage
diode capacitance
Conditions
V RWM = 3.3 V
I R = 5 mA
f = 1 MHz;
Min
-
-
5.3
-
Typ
-
100
5.6
34
Max
3.3
300
6.0
40
Unit
V
nA
V
pF
V R = 0 V
V CL
clamping voltage
[1][2]
I PP = 1 A
I PP = 4.5 A
-
-
-
-
8
11
V
V
r dif
V F
differential resistance
forward voltage
I R = 5 mA
I F = 200 mA
-
-
-
-
30
1.2
?
V
PESD3V3L1UA_UB_UL_1
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 1 to pin 2.
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 17 June 2009
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